Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử = Study of electrical properties of electron doped Ge film using GaP and Sb solid sources by molecular beam epitaxy method

Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/12164

Title:	Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử = Study of electrical properties of electron doped Ge film using GaP and Sb solid sources by molecular beam epitaxy method
Authors:	Lương, Thị Kim Phượng
Keywords:	Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên
Issue Date:	2019
Series/Report no.:	Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên - 2019 - no.11 - tr.79-84 - ISSN.1859-2171
URI:	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448 http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/12164
Appears in Collections:	Báo - Tạp chí

File	Size	Format	Existing users please Login
CTv178V204S112019079.pdf	214.71 kB	Adobe PDF

CORE Recommender

Check