Please use this identifier to cite or link to this item:
http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/12164| Title: | Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử = Study of electrical properties of electron doped Ge film using GaP and Sb solid sources by molecular beam epitaxy method | Authors: | Lương, Thị Kim Phượng | Keywords: | Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên | Issue Date: | 2019 | Series/Report no.: | Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên - 2019 - no.11 - tr.79-84 - ISSN.1859-2171 | URI: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448 http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/12164 |
| Appears in Collections: | Báo - Tạp chí |
Files in This Item:
| File | Size | Format | |
|---|---|---|---|
| CTv178V204S112019079.pdf | 214.71 kB | Adobe PDF | View online View/Open |
CORE Recommender
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.