Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử = Study of electrical properties of electron doped Ge film using GaP and Sb solid sources by molecular beam epitaxy method

Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/12164

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Lương, Thị Kim Phượng
dc.date.accessioned	2023-11-13T02:07:16Z	-
dc.date.available	2023-11-13T02:07:16Z	-
dc.date.issued	2019
dc.identifier.uri	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448	en
dc.identifier.uri	http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/12164	-
dc.language.iso	vi	en
dc.relation.ispartofseries	Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên - 2019 - no.11 - tr.79-84 - ISSN.1859-2171	en
dc.subject	Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên	en
dc.title	Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử = Study of electrical properties of electron doped Ge film using GaP and Sb solid sources by molecular beam epitaxy method	en
dc.type	Article	en
item.grantfulltext	restricted	-
item.cerifentitytype	Publications	-
item.fulltext	Có toàn văn	-
item.openairetype	Article	-
item.openairecristype	http://purl.org/coar/resource_type/c_18cf	-
item.languageiso639-1	vi	-
Appears in Collections:	Báo - Tạp chí

File	Size	Format	Existing users please Login
CTv178V204S112019079.pdf	214.71 kB	Adobe PDF

CORE Recommender

Check