Request a document copy: STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD = NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN CỦA MÀNG Ge PHA TẠP ĐIỆN TỬ TỪ NGUỒN RẮN GaP VÀ Sb BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
Vui lòng nhập vào phần email 1 địa chỉ email hợp lệ (VD: buianh.tvtt@gmail.com). Thư viện Dspace sẽ gửi bản sao tài liệu tới địa chỉ email của bạn nếu tài liệu không chứa các nội dung cần được bảo mật hay giới hạn đối tượng người dùng
