Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/65521
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorVan, Trung Pham
dc.contributor.authorThi, Nhai Vu
dc.contributor.authorXuan, Bao Nguyen
dc.date.accessioned2023-12-27T02:10:05Z-
dc.date.available2023-12-27T02:10:05Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.urihttps://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=351181en
dc.identifier.urihttp://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/65521-
dc.language.isovien
dc.relation.ispartofseriesTạp chí Khoa học và Công nghệ (Đại học Đà Nẵng) - 2022 - no.11.2 - tr.142-145 - ISSN.1859-1531en
dc.subjectTạp chí Khoa học và Công nghệ (Đại học Đà Nẵng)en
dc.titleSử dụng phương pháp động lực học phân tử nghiên cứu sự phát triển của màng mỏng ge trên chất nền si = Using molecular dynamics simulation to study the growth of ge thin film on si substrateen
dc.typeArticleen
Appears in Collections:Báo - Tạp chí

Files in This Item:
Thumbnail

  • File : CVv465V20S1122022142.pdf
  • Size : 602,46 kB
  • Format : Adobe PDF


  • Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.