Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/16730
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorVõ, Thị Tuyết Vi
dc.contributor.authorBùi, Đình Hợi
dc.contributor.authorNguyễn, Văn Chương
dc.contributor.authorNguyễn, Ngọc Hiếu
dc.date.accessioned2023-12-08T09:08:48Z-
dc.date.available2023-12-08T09:08:48Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.urihttps://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=312589en
dc.identifier.urihttp://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/16730-
dc.language.isovien
dc.relation.ispartofseriesTạp chí khoa học - Đại học Sư phạm Huế - 2020 - no.55 - tr.23-29 - ISSN.1859-1612en
dc.subjectTạp chí khoa họcen
dc.titleTính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ = Electronic properties of monolayer gallium selenide: Density functional theory calculationsen
dc.typeArticleen
Appears in Collections:Báo - Tạp chí

Files in This Item:
Thumbnail

  • File : CVv405S552020023.pdf
  • Size : 434,56 kB
  • Format : Adobe PDF


  • Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.