Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/16730
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorVõ, Thị Tuyết Vi
dc.contributor.authorBùi, Đình Hợi
dc.contributor.authorNguyễn, Văn Chương
dc.contributor.authorNguyễn, Ngọc Hiếu
dc.date.accessioned2023-12-08T09:08:48Z-
dc.date.available2023-12-08T09:08:48Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.urihttps://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=312589en
dc.identifier.urihttp://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/16730-
dc.language.isovien
dc.relation.ispartofseriesTạp chí khoa học - Đại học Sư phạm Huế - 2020 - no.55 - tr.23-29 - ISSN.1859-1612en
dc.subjectTạp chí khoa họcen
dc.titleTính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ = Electronic properties of monolayer gallium selenide: Density functional theory calculationsen
dc.typeArticleen
item.fulltextCó toàn văn-
item.grantfulltextopen-
item.openairetypeArticle-
item.cerifentitytypePublications-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
item.languageiso639-1vi-
Appears in Collections:Báo - Tạp chí
Files in This Item:
File SizeFormat
CVv405S552020023.pdf434.56 kBAdobe PDF
  View online
View/Open
Show simple item record

CORE Recommender

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.