STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD = NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN CỦA MÀNG Ge PHA TẠP ĐIỆN TỬ TỪ NGUỒN RẮN GaP VÀ Sb BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/13905

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Lương, Thị Kim Phượng
dc.date.accessioned	2023-11-13T02:46:22Z	-
dc.date.available	2023-11-13T02:46:22Z	-
dc.date.issued	2019
dc.identifier.uri	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=295941	en
dc.identifier.uri	http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/13905	-
dc.language.iso	vi	en
dc.relation.ispartofseries	Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên - 2019 - no.11	en
dc.subject	Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên	en
dc.title	STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD = NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN CỦA MÀNG Ge PHA TẠP ĐIỆN TỬ TỪ NGUỒN RẮN GaP VÀ Sb BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ	en
dc.type	Article	en
Appears in Collections:	Báo - Tạp chí

Files in This Item: