INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS = NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO DIODE PHÁT QUANG TRÊN NỀN VẬT LIỆU Ge/Si PHA TẠP ĐIỆN TỬ MẬT ĐỘ CAO ỨNG DỤNG TRONG LĨNH VỰC QUANG ĐIỆN TỬ TÍCH HỢP

Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/13882

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Lương, Thị Kim Phượng
dc.date.accessioned	2023-11-13T02:46:14Z	-
dc.date.available	2023-11-13T02:46:14Z	-
dc.date.issued	2019
dc.identifier.uri	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=295901	en
dc.identifier.uri	http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/13882	-
dc.language.iso	vi	en
dc.relation.ispartofseries	Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên - 2019 - no.11	en
dc.subject	Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên	en
dc.title	INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS = NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO DIODE PHÁT QUANG TRÊN NỀN VẬT LIỆU Ge/Si PHA TẠP ĐIỆN TỬ MẬT ĐỘ CAO ỨNG DỤNG TRONG LĨNH VỰC QUANG ĐIỆN TỬ TÍCH HỢP	en
dc.type	Article	en
item.grantfulltext	restricted	-
item.cerifentitytype	Publications	-
item.fulltext	Có toàn văn	-
item.openairetype	Article	-
item.openairecristype	http://purl.org/coar/resource_type/c_18cf	-
item.languageiso639-1	vi	-
Appears in Collections:	Báo - Tạp chí

File	Size	Format	Existing users please Login
42373-1297-134073-1-10-20190830.pdf	201.22 kB	Adobe PDF

CORE Recommender

Check