STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD = NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN CỦA MÀNG Ge PHA TẠP ĐIỆN TỬ TỪ NGUỒN RẮN GaP VÀ Sb BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ

Please use this identifier to cite or link to this item: http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/13905

Title:	STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD = NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN CỦA MÀNG Ge PHA TẠP ĐIỆN TỬ TỪ NGUỒN RẮN GaP VÀ Sb BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
Authors:	Lương, Thị Kim Phượng
Keywords:	Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên
Issue Date:	2019
Series/Report no.:	Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên - 2019 - no.11
URI:	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=295941 http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/13905
Appears in Collections:	Báo - Tạp chí

File	Size	Format	Existing users please Login
42382-1297-134084-1-10-20190830.pdf	214.71 kB	Adobe PDF

CORE Recommender

Check