Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/12164| Nhan đề: | Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử = Study of electrical properties of electron doped Ge film using GaP and Sb solid sources by molecular beam epitaxy method | Tác giả: | Lương, Thị Kim Phượng | Từ khoá: | Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên | Năm xuất bản: | 2019 | Tùng thư/Số báo cáo: | Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên - 2019 - no.11 - tr.79-84 - ISSN.1859-2171 | Định danh: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448 http://thuvienlamdong.org.vn:81/handle/DL_134679/12164 |
| Bộ sưu tập: | Báo - Tạp chí |
Các tập tin trong tài liệu này:
| Tập tin | Kích thước | Định dạng | Đã có tài khoản, vui lòng Đăng nhập |
|---|---|---|---|
| CTv178V204S112019079.pdf | 214.71 kB | Adobe PDF |
Các đề xuất từ CORE
Google Scholar TM
Kiểm tra...
Khi sử dụng các tài liệu trong Hệ thống quản lý thông tin nghiên cứu phải tuân thủ Luật bản quyền.